IGCT自动测试系统核心是安规及导通性能测试的订制化标准测试平台，其核心是采用了各种仪器仪表（万用表、内阻测试仪、安规测试仪、电源等）和继电器板卡、配合测试机柜、产品的定制工装，利用虚拟仪器技术相关功能进行测试，并将检测结果保存到本地盘，MES上传到客户指定数据库；测试项目和内容步骤保存到数据库里面，数据库包含单步测试功能模块，仪器测试指令，工号权限，增加和删除编辑项目可以在数据库操作界面完成。

KC-3105 第三代功率半导体器件动态可靠性测试系统中可同时完成HTRB和DHTRB测试，整体架构模块化，通讯协议、通讯接口等采用统一标准，便于后期扩展和维护。该系统集成度高、应用覆盖面广，系统采用软、硬件一体化设计且功能丰富，在保证系统稳定运行的同时，可以快速满足功率半导体可靠性测试需求。

KC3110功率半导体高精度静态特性测试系统(实验室)，基于全新三代半SiC, GaN器件和模块以及车规级模块的新兴要求而进行的一次高标准产品开发。本系统可以在3KV和1000/2000A的条件下实现精确测量和参数分析，漏电流测试分辨率高达fA，电压测试分阱率最高可这nV级，以及3000V高压下的寄生电容的精密测量。全自动程控软件，图型化上位机操作界面。内置开关切换矩阵保证测试效率。

KC3111功率半导体高精度静态特性测试系统（生产端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模块以及车规级模块的新兴要求而进行的一次高标准产品开发。脉冲信号源输出方面，高压源标配2000V（选配3.5KV）

KC3120功率半导体动态参数测试系统可针对各类型 GaN、Si基及SiC基二极管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各项动态参数测试，如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗。

测试各种封装的MOSFET、IGBT、三极管、Diode（小电流器件）进行连续工作寿命和间歇工作寿命试验。间歇工作寿命试验利用芯片的反复开启和关闭引起的反复高温和低温，加速芯片内各种组件材料和结合面的热机械应力，验证封装、内部键合等承受由芯片操作引起的热机械应力能力。IOL间歇寿命试验系统HK-IOL-16H

IGBT/SIC模块功率循环试验系统 华科智源-功率循环老化设备主要是针对IGBT/SIC的封装可靠性行进行实验,通过控制实验条件再现IGBT封装的主要两种失效方式:键合线失效和焊料层老化。实验的关键是控制结温的波动范围以及最高温度,得到不同条件下的实验寿命,从而得到IGBT的寿命。

SIC碳化硅器件参数测试仪HUSTEC-3000功能及主要参数： 　　适用碳化硅二极管、IGBT模块\\MOS管等器件的时间参数测试。