功率半导体动态参数测试系统

产品详情

型      号：KC3120

功能简介：KC3120功率半导体动态参数测试系统可针对各类型 GaN、Si基及SiC基二极管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各项动态参数测试，如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、...

设备简介

KC3120功率半导体动态参数测试系统可针对各类型 GaN、Si基及SiC基二极管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各项动态参数测试，如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、输入电容、输出电容、反向转移电容、短路。

通过更换不同的测试单元以达到对应测试内容，通过软件切换可以选择测试单元、测试项目及配置测试参数、 读取保存测试结果。

参考标准

IEC 60747-8/9 半导体分立器件第8/9部分/JEDEC标准

设备特点

KC-3120系 统 包 含 ： 硬 件 平 台 + 实 时 软 件 ， 其 中 硬 件 平 台 包含 ： 信号源（模块）、FTP低压电源、FTP高压电源、示波器、测量采集控制模块、测试夹具（可加热）等，主要特点如下:

高灵活度：多种驱动板配置，覆盖高压／中压／低压器件测试和雪崩测试（可选）；

高精度测试：高共模仰制比的高压差分光隔离探头（可选）满足SiC/GaN半导体器件更高母线电压和更快开关时间的测量挑战要求；低回路电感设计（＜5OnH寄生电感）；

高效率：可进行开关参数／动态栅极电荷／动态导通电阻／短路／雪崩测试，单次测试即可完成开关特性和反向恢复特性测试；

具备数据管理功能，上位机可实现数据曲线、报告及自动保存；

保护功能：具备器件防呆，对于带电、高温开箱、测试参数异常、驱动电路异常可实现保护功能，

内部模块化设计，支持支持扩展外接标准仪表，客制化；

软件系统

技术参数