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第三代功率半导体器件动态可靠性测试系统

简要描述:KC-3105 第三代功率半导体器件动态可靠性测试系统中可同时完成HTRB和DHTRB测试,整体架构模块化,通讯协议、通讯接口等采用统一标准,便于后期扩展和维护。该系统集成度高、应用覆盖面广,系统采用软、硬件一体化设计且功能丰富,在保证系统稳定运行的同时,可以快速满足功率半导体可靠性测试需求。

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  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2025-05-08
  • 访  问  量:42

详细介绍

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产品详情

第三代功率半导体器件动态可靠性测试系统

型      号:KC-3105

功能简介

现代宽禁带功率器件 (SiC, GaN) 上的开关晶体管速度越来越快,使得测量和表征成为相当大的挑战。与 HTRB高温偏置试验一 一对应,AQG324 该规定了动态偏置试验,即动态高温反偏(DHRB,Dynamic high-temperature reverse bias)

设备简介

KC-3105第三代功率半导体器件动态可靠性测试系统中可同时完成HTRB和DHTRB测试,整体架构模块化,通讯协议、通讯接口等采用统一标准,便于后期扩展和维护。该系统集成度高、应用覆盖面广,系统采用软、硬件一体化设计且功能丰富,在保证系统稳定运行的同时,可以快速满足功率半导体可靠性测试需求。

第三代功率半导体器件动态可靠性测试系统

第三代功率半导体器件动态可靠性测试系统优势

高温高压高精度:dv/dt>50v/ns、频率50KHz;

高精度测试:电流分辨率10pA,电压分辨率100nV;

多参数测量:Vsd电压、Vgsth电压、Rds电阻、Igss漏电流、Idss漏电流、温度;

多通道测试:高效率80通道测试,每个通道独立控制,故障断开及时,互不影响;

软件功能

功能完备并有可扩展性,基于Windows平台开发,配备工控机系统;

数据管理功能完整,具有操作界面与上位机,可实现数据自动保存与生成测试报告具有漏源极漏电流、温度等检测功能;

可对每一个测试器件独立控制,包含开始、暂停、继续、终止操作功能;

保存与记录试验数据,过冲电压、开关频率、漏电流、温度、故障信号、工作时长、漏源电压变化率等。

参数测试

1、Vgsth测试条件: G,D和S之间加管子规定电流,测试G和S之间的电压值;电压值就是阀值电压。

2、VSD测试条件: G和S之间加反向电压,D和S之间加反向管子规定电流,测试D和S之间的电压值;电压值就是反向二极管导通电压。

3、RDS测试条件: G和S之间加正向电压,D和S之间加正向管子规定电流,测试D和S之前的电压值;内阻 Rds(mΩ)=Vds / Ids (DS之间电压/DS流过的电流)。

4、Igss测试条件: G和S之间加管子规定电压,D和S接0V,测试出流过G极的电流就是Igss漏电流;

5、Idss测试条件: D和S之间加管子规定电压,G和S接0V,测试出流过D极的电流就是Idss漏电流;

老化测试

一、DRB  动态反偏

1.试验时长time: ≥1000h

2.试验温度temp: 25℃

3.漏源电压VDS: ≥0.8Vdsmax

dVDS/dt 取 50V/ns,f≥25kHz; 

4.栅源电压VGS:0V or VGSmin

二、DGB  动态栅极反偏

1.试验时长time:为10^11次循环

2.试验温度temp:25℃

3.漏源电压VDS:0V

4.栅极电压VGS:VGS=VGSmax至VGS min,dVGS/dt 取 1V/ns,f≥50kHz

三、HTRB  高温反偏

1.试验时长time:≥1000h

2.试验温度temp:最高结温

3.漏源电压VDS:≥0.8Vdsmax

4.栅源电压VGS:0V or VGSmin

四、HTGB  高温栅极反偏

1.试验时长:≥1000h

2.试验温度:最高结温

3.VDS漏源电压:0V

4.栅极电压:VGS=VGSmax(正栅极电压测量50%DUT)   VGS=VGSmin(负栅极电压测量50%DUT)

保护功能

上电自测:可实现器件防呆,电路状态;

保护功能:对于带电、高温开箱、过温、测试电参数异常、驱动电路故障等可实现保护功能;

故障隔离:可实现组间的独立性控制,出现故障断开及时,不影响其他器件工作。

第三代功率半导体器件动态可靠性测试系统

系统构成图

参考标准

AQG 324 机动车辆电力电子转换器单元用功率模块的验证

AEC Q101车用分立半导体元器件的基于失效机理的应力测试验证

软件界面

   

技术参数

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