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测试各种封装的MOSFET、IGBT、三极管、Diode（小电流器件）进行连续工作寿命和间歇工作寿命试验。间歇工作寿命试验利用芯片的反复开启和关闭引起的反复高温和低温，加速芯片内各种组件材料和结合面的热机械应力，验证封装、内部键合等承受由芯片操作引起的热机械应力能力。IOL间歇寿命试验系统HK-IOL-16H
IGBT/SIC模块功率循环试验系统 华科智源-功率循环老化设备主要是针对IGBT/SIC的封装可靠性行进行实验,通过控制实验条件再现IGBT封装的主要两种失效方式:键合线失效和焊料层老化。实验的关键是控制结温的波动范围以及最高温度,得到不同条件下的实验寿命,从而得到IGBT的寿命。
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