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联讯eDH3101高温高湿老化系统

简要描述:联讯eDH3101高温高湿老化系统是一体化高温高湿双85老化系统,一个针对第三代半导体芯片可靠性测试的完整的双温高湿双85 Turn-key解决方案。 联讯仪器eDH3101主要适用于GaAs和GaN射频器件和功率器件的高温高湿试验。该系统已经在激光器芯片行业和第三代半导体两大行业通过大量认证,是一个可靠稳定的系统。

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  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2021-12-22
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联讯eDH3101高温高湿老化系统

联讯仪器eDH3101是一体化高温高湿双85老化系统,一个针对第三代半导体芯片可靠性测试的完整的双温高湿双85 Turn-key解决方案。 联讯仪器eDH3101主要适用于GaAs和GaN射频器件和功率器件的高温高湿试验。该系统已经在激光器芯片行业和第三代半导体两大行业通过大量认证,是一个可靠稳定的系统。 联讯仪器eDH3101由双85箱体和一个测试机架通过内部背板无缝连接而成,测试架中集成了高稳定性多通道老化电源,UPS,电脑等。大液晶可触控屏幕加上友好可配置的界面给客户操作人员提供了非常简便的易用性。


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联讯eDH3101高温高湿老化系统


产品指标

系统特性

适用产品类型

GaAs, GaN产品

使用产品封装

Chip on Subount,DIP,TO

系统参能

216个芯片或者器件

测试参数

监控Vds/Vce电压,Vgs/Vbe电压,Ids/Ice电流,并可以扫描曲线

测试板

与测试系统共用老化测试板

ID识别

支持产品位置与测试版SN绑定

系统尺寸

1700(H)X800(W)X820(D)

系统功耗

4000W

技术指标

温度范围

-20C ~ 150C

温度分辨率

0.1C

温度波动性

0.5C (如按GB/T 5170.2-1996表示,则为+/-0.25C

温度偏差

+/-1.5C

温度均匀性

1C (湿热实验,湿度>90%RH时)

1.5C (温度<100C时)

2C (其他条件)

升温时间

-20C -> 150C <60mins

降温时间

20C -> -20C <45mins

湿度范围

25~98%RH (参考温湿度可控范围图,无有源湿、热负载)

湿度分辨率

0.1% RH

相对湿度偏差

+/-2% RH (湿度>75% RH时)

+/-5% RH (湿度<=75% RH时)

Vds/Vce电压

1-200V,精度<+/-0.1%+20mV

1-100V,精度<+/-0.1%+10mV

0~15V,精度<+/-1%+5mV

Vgs/Vbe电压

-20~+20V,精度<+/-0.1%+1mV

-5~+5V,精度<+/-1%+0.4mV

Ids/Ice电流

0~4000mA,精度+/-0.1%+1mA

0~100mA,精度+/-1%+0.1mA

Igs/Ibe

1uA~2mA,精度+/-1%+0.5uA

电流电压过冲

在任何情况下没有过冲

电流电压振荡

在任何情况下没有振荡

通用指标

操作系统

Windows 10

软件功能

可配置软件平台,并支持客户二次开发

软件语言

C# 和 VS

数据库类型

SQL

系统供电

100-380V, 50/60Hz



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