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| 品牌 | 其他品牌 |
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ENJ2005-C半导体功率器件图示系统概述：
ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体功率器件图示系统，系统IV曲线自动生成，也可根据实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。提供在线故障判断，遇到器件接触不良时系统自动停止测试。通过USB或者RS232与电脑连接，以 及人机界面操作，即可完成测试，并实现结果以Excel和Date的格式保存。
测试参数：
漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
间接参数：IL
ENJ2005-C半导体功率器件图示系统配置规格：
配置 | 规格/环境 | ||
主极电压 | 1mV-2000V | 尺 寸 | 450×570×280（mm） |
电压分辨率 | 1mV | 质 量 | 35kg |
主极电流 | 0.1nA-100A | 工作电压 | 200V-240V |
扩展电流 | / | 电源频率 | 47Hz-63Hz |
电流分辨率 | 0.1nA | 工作温度 | 25℃-40℃ |
测试精度 | 0.2%+2LSB | 通信接口 | RS232 USB |
测试速度 | 0.5mS/参数 | 系统功耗 | <150w |
测试范围：
01 | 二极管 / DIODE |
02 | 晶体管 / NPN型/PNP型 |
03 | J型场效应管 / J-FET |
04 | MOS场效应管 / MOS-FET |
05 | 双向可控硅 / TRIAC |
06 | 可控硅 / SCR |
07 | 绝缘栅双极大功率晶体管 / IGBT |
08 | 硅触发可控硅 / STS |
09 | 达林顿阵列 / DARLINTON |
10 | 光电耦合 / OPTO-COUPLER |
11 | 继电器 / RELAY |
12 | 稳压、齐纳二极管 / ZENER |
13 | 三端稳压器 / REGULATOR |
14 | 光电开关 / OPTO-SWITCH |
......其它器件共19大类27分类 | |
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