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ENJ2005-B半导体分立器件测试系统
系统概述：
设备扩展性强，通过选件可以提高电流和测试范围。支持电流阶梯升级至1250A。采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300uS。在PC窗口提示下输 入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。被测器件引脚接触自动判断功能。系统采用带有开尔文感应结构的测试工装，自动补偿由于系统内部及测试电 缆长度引起的压降，保证测试结果准确可靠。 面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工 作。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的连接使用。
ENJ2005-B半导体分立器件测试系统测试参数：
漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS、
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
基础配置：
技术参数 | ENJ2005-B型 |
主极电流 | 100nA-50A |
扩展电流 | 100A、500A、1000A、1200A |
电压分辨率 | 1mV |
电流分辨率 | 1nA(可扩展至10pA) |
测试精度 | 0.2%+2LSB |
测试速度 | 0.5mS/参数 |
测试范围：
测试范围：
01 | 二极管 / DIODE |
02 | 晶体管 / NPN型/PNP型 |
03 | J型场效应管 / J-FET |
04 | MOS场效应管 / MOS-FET |
05 | 双向可控硅 / TRIAC |
06 | 可控硅 / SCR |
07 | 绝缘栅双极大功率晶体管 / IGBT |
08 | 硅触发可控硅 / STS |
09 | 达林顿阵列 / DARLINTON |
10 | 光电耦合 / OPTO-COUPLER |
11 | 继电器 / RELAY |
12 | 稳压、齐纳二极管 / ZENER |
13 | 三端稳压器 / REGULATOR |
14 | 光电开关 / OPTO-SWITCH |
......其它器件共19大类27分类 | |
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